MT3S113(TE85L,F)
Número de pieza:
MT3S113(TE85L,F)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
76316 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
MT3S113(TE85L,F).pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensión - Colector-emisor (máx):5.3V
Tipo de transistor:NPN
Paquete del dispositivo:S-Mini
Serie:-
Potencia - Max:800mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres:MT3S113(TE85LF)
MT3S113(TE85LF)TR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
La figura de ruido (dB Typ @ f):1.45dB @ 1GHz
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Ganancia:11.8dB
Frecuencia - Transición:12.5GHz
Descripción detallada:RF Transistor NPN 5.3V 100mA 12.5GHz 800mW Surface Mount S-Mini
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:200 @ 30mA, 5V
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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