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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > TH58NVG3S0HBAI4
TH58NVG3S0HBAI4
Modello di prodotti:
TH58NVG3S0HBAI4
fabbricante:
Toshiba Memory America, Inc.
Descrizione:
8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
48225 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
TH58NVG3S0HBAI4.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:25ns
Tensione di alimentazione -:2.7 V ~ 3.6 V
Tecnologia:FLASH - NAND (SLC)
Contenitore dispositivo fornitore:63-TFBGA (9x11)
Serie:-
Contenitore / involucro:63-VFBGA
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio:Surface Mount
Tipo di memoria:Non-Volatile
Dimensione della memoria:8Gb (1G x 8)
Interfaccia di memoria:-
Formato di memoria:FLASH
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:FLASH - NAND (SLC) Memory IC 8Gb (1G x 8) 63-TFBGA (9x11)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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TH58BVG2S3HBAI4 Toshiba Memory America, Inc. 4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE Inchiesta
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TH58BYG2S3HBAI4 Toshiba Memory America, Inc. 4G SLC NAND BGA 24NM Inchiesta
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TH58BVG3S0HTAI0 Toshiba Memory America, Inc. 8GB SLC BENAND TSOP 24NM 4K PAGE Inchiesta
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