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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > TH58NVG3S0HBAI4
TH58NVG3S0HBAI4
Número de pieza:
TH58NVG3S0HBAI4
Fabricante:
Toshiba Memory America, Inc.
Descripción:
8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
48225 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
TH58NVG3S0HBAI4.pdf
Investigación

Introducción

TH58NVG3S0HBAI4 mejor precio y entrega rápida.
BOSER Technology es el distribuidor de TH58NVG3S0HBAI4, tenemos las existencias para envío inmediato y también estamos disponibles para el suministro a largo plazo. Envíenos su plan de compra para TH58NVG3S0HBAI4 por correo electrónico, le daremos un mejor precio de acuerdo con su plan.
Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página:25ns
Suministro de voltaje:2.7 V ~ 3.6 V
Tecnología:FLASH - NAND (SLC)
Paquete del dispositivo:63-TFBGA (9x11)
Serie:-
Paquete / Cubierta:63-VFBGA
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:Surface Mount
Tipo de memoria:Non-Volatile
Tamaño de la memoria:8Gb (1G x 8)
Interfaz de memoria:-
Formato de memoria:FLASH
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada:FLASH - NAND (SLC) Memory IC 8Gb (1G x 8) 63-TFBGA (9x11)
Email:[email protected]

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