TH58NVG3S0HBAI4 - Toshiba Memory America, Inc. ذاكرة

TH58NVG3S0HBAI4

رقم القطعة:: TH58NVG3S0HBAI4

الصانع:: Toshiba Memory America, Inc.

وصف:: 8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V

[LeadFreeStatus]未找到翻译: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

كمية:: 48225 Pieces

موعد التسليم:: 1-2 days

ورقة البيانات:: TH58NVG3S0HBAI4.pdf

تحقيق

المقدمة

أفضل سعر TH58NVG3S0HBAI4 وسرعة التسليم.

BOSER Technology هو الموزع لـ TH58NVG3S0HBAI4 ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على TH58NVG3S0HBAI4 عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط	New and Original
الأصل	Contact us
موزع	Boser Technology
كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة:	25ns
الجهد - توريد:	2.7 V ~ 3.6 V
تكنولوجيا:	FLASH - NAND (SLC)
تجار الأجهزة حزمة:	63-TFBGA (9x11)
سلسلة:	-
حزمة / كيس:	63-VFBGA
درجة حرارة التشغيل:	-40°C ~ 85°C (TA)
تصاعد نوع:	Surface Mount
نوع الذاكرة:	Non-Volatile
حجم الذاكرة:	8Gb (1G x 8)
واجهة الذاكرة:	-
تنسيق الذاكرة:	FLASH
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
وصف تفصيلي:	FLASH - NAND (SLC) Memory IC 8Gb (1G x 8) 63-TFBGA (9x11)
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لTH58NVG3S0HBAI4

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
TH58BVG3S0HTA00	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I	تحقيق
TH58BVG2S3HBAI4	Toshiba Memory America, Inc.	4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE	تحقيق
TH58NVG3S0HTA00	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I	تحقيق
TH58NVG4S0HTA20	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I	تحقيق
TH58NVG3S0HTAI0	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I	تحقيق
TH58BVG2S3HTA00	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I	تحقيق
TH58NVG2S3HTAI0	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I	تحقيق
TH58BYG2S3HBAI6	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA	تحقيق
TH58NVG5S0FTA20	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP I	تحقيق
TH58BYG3S0HBAI6	Toshiba Memory America, Inc.	8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V	تحقيق
TH58NVG4S0FTA20	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I	تحقيق
TH58BVG2S3HTAI0	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I	تحقيق
TH58NVG2S3HTA00	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I	تحقيق
TH58BYG2S3HBAI4	Toshiba Memory America, Inc.	4G SLC NAND BGA 24NM	تحقيق
TH58NVG5S0FTAK0	Toshiba Memory America, Inc.	32GB SLC NAND TSOP 32NM LB I-TEM	تحقيق
TH5E106K021A1000	Electro-Films (EFI) / Vishay	CAP TANT 10UF 21V 10% 2917	تحقيق
TH58BVG3S0HTAI0	Toshiba Memory America, Inc.	8GB SLC BENAND TSOP 24NM 4K PAGE	تحقيق
TH58NYG2S3HBAI4	Toshiba Memory America, Inc.	4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V	تحقيق
TH58NYG3S0HBAI6	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 8G PARALLEL 67VFBGA	تحقيق
TH58NVG4S0HTAK0	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار