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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > TH58BYG3S0HBAI6
TH58BYG3S0HBAI6
Modello di prodotti:
TH58BYG3S0HBAI6
fabbricante:
Toshiba Memory America, Inc.
Descrizione:
8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
46639 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
TH58BYG3S0HBAI6.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:25ns
Tensione di alimentazione -:1.7 V ~ 1.95 V
Tecnologia:FLASH - NAND (SLC)
Contenitore dispositivo fornitore:67-VFBGA (6.5x8)
Serie:Benand™
Contenitore / involucro:67-VFBGA
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio:Surface Mount
Tipo di memoria:Non-Volatile
Dimensione della memoria:8Gb (1G x 8)
Interfaccia di memoria:-
Formato di memoria:FLASH
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:FLASH - NAND (SLC) Memory IC 8Gb (1G x 8) 67-VFBGA (6.5x8)
Email:[email protected]

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