PMCXB900UEZ
PMCXB900UEZ
Modello di prodotti:
PMCXB900UEZ
fabbricante:
Nexperia
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6DFN
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
68489 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
PMCXB900UEZ.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:950mV @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:DFN1010B-6
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Potenza - Max:265mW
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:6-XFDFN Exposed Pad
Altri nomi:1727-1469-1
568-10940-1
568-10940-1-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:21.3pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:0.7nC @ 4.5V
Tipo FET:N and P-Channel Complementary
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array N and P-Channel Complementary 20V 600mA, 500mA 265mW Surface Mount DFN1010B-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:600mA, 500mA
Email:[email protected]

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