| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 950mV @ 250µA |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | DFN1010B-6 |
| Seria: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 620 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Moc - Max: | 265mW |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Inne nazwy: | 1727-1469-1 568-10940-1 568-10940-1-ND |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 21.3pF @ 10V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 0.7nC @ 4.5V |
| Rodzaj FET: | N and P-Channel Complementary |
| Cecha FET: | Logic Level Gate |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 20V |
| szczegółowy opis: | Mosfet Array N and P-Channel Complementary 20V 600mA, 500mA 265mW Surface Mount DFN1010B-6 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 600mA, 500mA |
| Email: | [email protected] |
