Italia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Su di noi | Contatto | Richiedi un preventivo |
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > PMCPB5530X,115
PMCPB5530X,115
PMCPB5530X,115
Modello di prodotti:
PMCPB5530X,115
fabbricante:
Nexperia
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
81790 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
PMCPB5530X,115.pdf
Inchiesta

introduzione

PMCPB5530X,115 miglior prezzo e consegna veloce.
BOSER Technology è il distributore di PMCPB5530X,115, disponiamo delle scorte per la spedizione immediata e disponibili anche per la fornitura a lungo termine. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per PMCPB5530X,115 via e-mail, vi forniremo il miglior prezzo in base al vostro piano.
La nostra email: [email protected]

Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:900mV @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:6-HUSON-EP (2x2)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:34 mOhm @ 3A, 4.5V
Potenza - Max:490mW
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:6-UDFN Exposed Pad
Altri nomi:1727-1327-1
568-10754-1
568-10754-1-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:660pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:21.7nC @ 4.5V
Tipo FET:N and P-Channel
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array N and P-Channel 20V 5.3A, 3.4A 490mW Surface Mount 6-HUSON-EP (2x2)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5.3A, 3.4A
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti

Parti relative per PMCPB5530X,115

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
PMCXB900UELZ Image PMCXB900UELZ Nexperia 20 V, COMPLEMENTARY N/P-CHANNEL Inchiesta
PMCM6501UNEZ Image PMCM6501UNEZ Nexperia MOSFET N-CHANNEL 20V 6WLCSP Inchiesta
PMCM4402UPEZ Image PMCM4402UPEZ Nexperia MOSFET P-CHANNEL 20V 4WLCSP Inchiesta
PMCM6501UPEZ Image PMCM6501UPEZ Nexperia MOSFET P-CHANNEL 20V 4WLCSP Inchiesta
PMCXB900UEZ Image PMCXB900UEZ Nexperia USA Inc. MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6DFN Inchiesta
PMCM6501VPEZ Image PMCM6501VPEZ Nexperia MOSFET P-CH 12V 6WLCSP Inchiesta
PMCXB900UEZ Image PMCXB900UEZ Nexperia MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6DFN Inchiesta
PMCXB900UE Image PMCXB900UE Nexperia MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6DFN Inchiesta
PMCM6501VNEZ Image PMCM6501VNEZ Nexperia MOSFET N-CH 12V 6WLCSP Inchiesta
PMCM650VNEZ Image PMCM650VNEZ Nexperia MOSFET N-CH 12V 4WLCSP Inchiesta
PMCM440VNE/S500Z Nexperia MOSFET N-CHANNEL 12V 5A 4WLCSP Inchiesta
PMCM4401UNEZ Image PMCM4401UNEZ Nexperia MOSFET N-CHANNEL 20V 4WLCSP Inchiesta
PMCM4401UPEZ Image PMCM4401UPEZ Nexperia MOSFET P-CHANNEL 20V 4A 4WLCSP Inchiesta
PMCM650CUNEZ Image PMCM650CUNEZ Nexperia PMCM650CUNE NAX000 NONE Inchiesta
PMCM4401VNEAZ Image PMCM4401VNEAZ Nexperia MOSFET N-CH 12V WLCSP Inchiesta
PMCM4401VPEZ Image PMCM4401VPEZ Nexperia MOSFET P-CH 12V WLCSP Inchiesta
PMCM440VNEZ Image PMCM440VNEZ Nexperia MOSFET N-CH 12V 4WLCSP Inchiesta
PMCM650VNE/S500Z Nexperia MOSFET N-CH 12V 8.4A 6WLCSP Inchiesta
PMCXB1000UEZ Image PMCXB1000UEZ Nexperia MOSFET N/P-CH 30V DFN1010B-6 Inchiesta
PMC85XP,115 Image PMC85XP,115 Nexperia MOSFET NPN/P CH 30V 2.6A 6HUSON Inchiesta

Latest Notizie