PMCXB1000UEZ
PMCXB1000UEZ
Modello di prodotti:
PMCXB1000UEZ
fabbricante:
Nexperia
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 30V DFN1010B-6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
79307 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
PMCXB1000UEZ.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:950mV @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:DFN1010B-6
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:670 mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V
Potenza - Max:285mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-XFDFN Exposed Pad
Altri nomi:1727-2737-2
568-13301-2
568-13301-2-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V
Tipo FET:N and P-Channel Complementary
Caratteristica FET:Standard
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 590mA (Ta), 410mA (Ta) 285mW (Ta) Surface Mount DFN1010B-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:590mA (Ta), 410mA (Ta)
Email:[email protected]

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