FDMS86252L
FDMS86252L
Modello di prodotti:
FDMS86252L
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 150V 8-MLP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
40243 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FDMS86252L.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-PQFN (5x6)
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:56 mOhm @ 4.4A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta), 50W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:FDMS86252LDKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1335pF @ 75V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:21nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):150V
Descrizione dettagliata:N-Channel 150V 4.4A (Ta) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4.4A (Ta)
Email:[email protected]

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