FDMS86202
FDMS86202
Modello di prodotti:
FDMS86202
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 120V 8MLP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
68393 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FDMS86202.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:Power56
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:7.2 mOhm @ 13.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.7W (Ta), 156W (Tc)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:FDMS86202CT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:39 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4250pF @ 60V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:64nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):120V
Descrizione dettagliata:N-Channel 120V 13.5A (Ta) 2.7W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount Power56
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:13.5A (Ta)
Email:[email protected]

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