FDMS86182
FDMS86182
Modello di prodotti:
FDMS86182
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN
Quantità:
56592 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FDMS86182.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 150µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-PQFN (5x6), Power56
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:7.2 mOhm @ 28A, 10V
Dissipazione di potenza (max):83W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:FDMS86182TR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:34 Weeks
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2635pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:24nC @ 6V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione dettagliata:N-Channel 100V 78A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:78A (Tc)
Email:[email protected]

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