FDMS8622
FDMS8622
Modello di prodotti:
FDMS8622
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-PQFN
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
35698 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FDMS8622.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-PQFN (5x6)
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:56 mOhm @ 4.8A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta), 31W (Tc)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:FDMS8622CT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:400pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:7nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione dettagliata:N-Channel 100V 4.8A (Ta), 16.5A (Tc) 2.5W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4.8A (Ta), 16.5A (Tc)
Email:[email protected]

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