MB85R256GPF-G-BND-ERE1
Nomor bagian:
MB85R256GPF-G-BND-ERE1
Pabrikan:
Fujitsu Electronics America, Inc.
Deskripsi:
IC FRAM 256K PARALLEL 28SOP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Kuantitas:
31576 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lembaran data:
MB85R256GPF-G-BND-ERE1.pdf

pengantar

MB85R256GPF-G-BND-ERE1 harga terbaik dan pengiriman cepat.
BOSER Technology adalah distributor untuk MB85R256GPF-G-BND-ERE1, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan lama. Silakan kirim rencana pembelian Anda untuk MB85R256GPF-G-BND-ERE1 melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New and Original
Asal Contact us
Distributor Boser Technology
Tulis Siklus Waktu - Kata, Halaman:150ns
Tegangan - Pasokan:2.7 V ~ 3.6 V
Teknologi:FRAM (Ferroelectric RAM)
Seri:-
Suhu Operasional:-40°C ~ 85°C (TA)
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
memory Type:Non-Volatile
Ukuran memori:256Kb (32K x 8)
Antarmuka Memori:Parallel
Format Memori:FRAM
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Detil Deskripsi:FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 150ns
Waktu akses:150ns
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar