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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > MB85R256GPF-G-BND-ERE1
MB85R256GPF-G-BND-ERE1
Modello di prodotti:
MB85R256GPF-G-BND-ERE1
fabbricante:
Fujitsu Electronics America, Inc.
Descrizione:
IC FRAM 256K PARALLEL 28SOP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
31576 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
MB85R256GPF-G-BND-ERE1.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:150ns
Tensione di alimentazione -:2.7 V ~ 3.6 V
Tecnologia:FRAM (Ferroelectric RAM)
Serie:-
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Non-Volatile
Dimensione della memoria:256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria:Parallel
Formato di memoria:FRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 150ns
Tempo di accesso:150ns
Email:[email protected]

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Parti relative per MB85R256GPF-G-BND-ERE1

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
MB85RC128APNF-G-JNERE1 Image MB85RC128APNF-G-JNERE1 Fujitsu Electronics America, Inc. IC FRAM 128K I2C 1MHZ 8SOP Inchiesta
MB85R256FPF-G-BND-ERE1 Image MB85R256FPF-G-BND-ERE1 Fujitsu Electronics America, Inc. IC FRAM 256K PARALLEL 28SOP Inchiesta
MB85R256FPF-G-BNDE1 Fujitsu Electronics America, Inc. IC FRAM 256K PARALLEL 28SOP Inchiesta
MB85R4M2TFN-G-ASE1 Image MB85R4M2TFN-G-ASE1 Fujitsu Electronics America, Inc. IC FRAM 4M PARALLEL 44TSOP Inchiesta
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MB85RC128PNF-G-JNE1 Image MB85RC128PNF-G-JNE1 Fujitsu Electronics America, Inc. IC FRAM 128K I2C 400KHZ 8SOP Inchiesta
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