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«Avec la drain-source des produits sur des capacités de résistance allant de 30 mΩ à 65 mΩ, ces nouvelles versions offrent des performances et une efficacité énergétique améliorées pour diverses applications, notamment les véhicules électriques (EV), les équipements industriels et les serveurs de données», a déclaré la firme.

Toujours à Electronicain Munich, Exagan fait la démonstration d'applications de la gamme de kilowatts de ses produits, en utilisant des topologies telles que le totem PFC pour atteindre une efficacité de conversion élevée et une densité de puissance améliorée. Selon la firme, les alimentations pour le marché des serveurs sont l'une des premières applications d'alimentation pouvant bénéficier de ses solutions GaN.

Transoteurs de puissance GaN Promotign pour une utilisation automobile, le PDG Frédéric Dupont présentant un document intitulé «De l'évolution à la révolution: perturber la conversion de puissance automobile avec GaN» comme la convergence automobile qui fonctionne au sein d'Electronica. «Nos gammes de produits G-Fet et G-Drive offrent un portefeuille de solutions GaN pour un large éventail d'applications couvrant les marchés des consommateurs, des serveurs et de l'automobile. Pour travailler avec nos clients, nous avons récemment ouvert des centres d'application en France et à Taïwan axés sur la fourniture de solutions basées sur GaN pour les besoins actuels et émergents de conversion d'énergie. »

Exagan est une entreprise entre la société de plaquettes Soitec et le laboratoire de recherche français Leti. Il fabrique des transistors de puissance GaN selon un processus de fabrication CMOS 200 mm établi. Les partenaires incluent les fonderies de silicium X-FAB et TÜV Nord pour la qualité, les tests et la fiabilité des produits.