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エレクトロニカ:ExaganがマルチkW GaN PSUをデモ

Exagan gfet wafer

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「この製品の30mΩから65mΩまでの範囲の抵抗のドレインソース機能により、これらの新しいリリースは、電気自動車(EV)、産業機器、データサーバーを含むさまざまなアプリケーションのパフォーマンスと電力効率を強化します」と同社は述べています。

また、ExaganはElectronicain Munichで、トーテムポールPFCなどのトポロジーを使用して、キロワット範囲のアプリケーションをデモし、高い変換効率と電力密度の向上を実現しています。同社によれば、サーバー市場向けの電源は、そのGaNソリューションからメリットを得られる最初の電源アプリケーションの1つです。

自動車用のGaNパワートランジターを推進するCEOのフレデリックデュポンが、Electronica内で実行される自動車の収束として「進化から革命:GaNによる自動車の電力変換の破壊」と呼ばれる論文を発表します。 「当社のG-FetおよびG-Drive製品ラインは、消費者、サーバー、および自動車市場にまたがるさまざまなアプリケーション向けのGaNソリューションのポートフォリオを提供します。お客様と連携するために、最近フランスと台湾にアプリケーションセンターを開設し、現在および将来の電力変換ニーズに対応するGaNベースのソリューションを提供することに注力しました。」

Exaganは、ウェーハ会社Soitecとフランスの研究所であるLetiの間のベンチャーです。確立された200mm CMOS製造プロセスでGaNパワートランジスタを製造します。パートナーには、製品の品質、テスト、および信頼性のためのX-FABシリコンファウンドリおよびTÜVNordが含まれます。