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該公司表示：“憑藉產品的漏源電阻能力在30mΩ至65mΩ之間，這些新版本可為包括電動汽車（EV），工業設備和數據服務器在內的各種應用提供增強的性能和電源效率。”

同樣在慕尼黑電子展上，Exagan展示了其產品在千瓦範圍的應用，並使用圖騰柱PFC之類的拓撲結構實現了高轉換效率並提高了功率密度。據該公司稱，服務器市場的電源是最早可以從其GaN解決方案中受益的電源應用之一。

為促進汽車用GaN功率傳輸器的發展，首席執行官FrédéricDupont提出了一篇題為“從進化到革命：通過GaN破壞汽車功率轉換”的論文，這是在Electronica內部運行的汽車融合技術。 “我們的G-Fet和G-Drive產品線提供了GaN解決方案組合，適用於消費，服務器和汽車市場的各種應用。為了與我們的客戶合作，我們最近在法國和台灣開設了應用中心，致力於提供基於GaN的解決方案，以滿足當前和新興的電源轉換需求。”

Exagan是晶圓公司Soitec與法國研究實驗室Leti之間的合資企業。它以既定的200mm CMOS製造工藝製造GaN功率晶體管。合作夥伴包括X-FAB矽鑄造廠和TÜVNord，以提高產品質量，測試和可靠性。