W988D2FBJX6E
W988D2FBJX6E
Modèle de produit:
W988D2FBJX6E
Fabricant:
Winbond Electronics Corporation
La description:
IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
57672 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
W988D2FBJX6E.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:15ns
Tension - Alimentation:1.7 V ~ 1.95 V
La technologie:SDRAM - Mobile LPSDR
Package composant fournisseur:90-VFBGA (8x13)
Séries:-
Emballage:Tray
Package / Boîte:90-TFBGA
Température de fonctionnement:-25°C ~ 85°C (TC)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Volatile
Taille mémoire:256Mb (8M x 32)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:DRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-VFBGA (8x13)
Fréquence d'horloge:166MHz
Temps d'accès:5.4ns
Email:[email protected]

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