W987D6HBGX6I TR
W987D6HBGX6I TR
Modèle de produit:
W987D6HBGX6I TR
Fabricant:
Winbond Electronics Corporation
La description:
IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
62163 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
W987D6HBGX6I TR.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:15ns
Tension - Alimentation:1.7 V ~ 1.95 V
La technologie:SDRAM - Mobile LPSDR
Package composant fournisseur:54-VFBGA (8x9)
Séries:-
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:54-TFBGA
Autres noms:W987D6HBGX6I TR-ND
W987D6HBGX6ITR
Température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Volatile
Taille mémoire:128Mb (8M x 16)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:DRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 54-VFBGA (8x9)
Fréquence d'horloge:166MHz
Temps d'accès:5.4ns
Email:[email protected]

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