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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Modules > VS-GB75DA120UP
VS-GB75DA120UP
Modèle de produit:
VS-GB75DA120UP
Fabricant:
Electro-Films (EFI) / Vishay
La description:
MODULE IGBT SOT-227
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
35258 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
VS-GB75DA120UP.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:3.8V @ 15V, 75A
Package composant fournisseur:SOT-227
Séries:-
Puissance - Max:658W
Package / Boîte:SOT-227-4, miniBLOC
Autres noms:VSGB75DA120UP
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC thermistance:No
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Contribution:Standard
type de IGBT:NPT
Description détaillée:IGBT Module NPT Single 1200V 658W Chassis Mount SOT-227
Courant - Collecteur Cutoff (Max):250µA
Configuration:Single
Email:[email protected]

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