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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-IGBTs-Module > VS-GB75DA120UP
VS-GB75DA120UP
Artikelnummer:
VS-GB75DA120UP
Hersteller:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung:
MODULE IGBT SOT-227
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
35258 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
VS-GB75DA120UP.pdf
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Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1200V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:3.8V @ 15V, 75A
Supplier Device-Gehäuse:SOT-227
Serie:-
Leistung - max:658W
Verpackung / Gehäuse:SOT-227-4, miniBLOC
Andere Namen:VSGB75DA120UP
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC-Thermistor:No
Befestigungsart:Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingang:Standard
IGBT-Typ:NPT
detaillierte Beschreibung:IGBT Module NPT Single 1200V 658W Chassis Mount SOT-227
Strom - Collector Cutoff (Max):250µA
Konfiguration:Single
Email:[email protected]

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