US5U1TR
US5U1TR
Modèle de produit:
US5U1TR
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
66237 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.US5U1TR.pdf2.US5U1TR.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:1.5V @ 1mA
Vgs (Max):±12V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TUMT5
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:240 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Dissipation de puissance (max):1W (Ta)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:80pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:2.2nC @ 4.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:Schottky Diode (Isolated)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:N-Channel 30V 1.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT5
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:1.5A (Ta)
Email:[email protected]

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