US5U1TR
US5U1TR
Número de pieza:
US5U1TR
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
66237 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
1.US5U1TR.pdf2.US5U1TR.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 1mA
Vgs (Max):±12V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TUMT5
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:240 mOhm @ 1.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):1W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:80pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:2.2nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:Schottky Diode (Isolated)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:N-Channel 30V 1.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT5
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1.5A (Ta)
Email:[email protected]

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