TPCF8107,LF
TPCF8107,LF
Modèle de produit:
TPCF8107,LF
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
La description:
MOSFET P-CH 30V 6A VS-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
31887 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
TPCF8107,LF.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 100µA
Vgs (Max):+20V, -25V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:VS-8 (2.9x1.5)
Séries:U-MOSVI
Rds On (Max) @ Id, Vgs:28 mOhm @ 3A, 10V
Dissipation de puissance (max):700mW (Ta)
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:8-SMD, Flat Lead
Autres noms:TPCF8107,LFCMCT
TPCF8107,LFCMCT-ND
TPCF8107LFCMCT
TPCF8107LFCMCT-ND
TPCF8107LFCT
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:970pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 10V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:P-Channel 30V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:6A (Ta)
Email:[email protected]

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