TPCF8107,LF
TPCF8107,LF
Modello di prodotti:
TPCF8107,LF
fabbricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 6A VS-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
31887 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
TPCF8107,LF.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:2V @ 100µA
Vgs (Max):+20V, -25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:VS-8 (2.9x1.5)
Serie:U-MOSVI
Rds On (max) a Id, Vgs:28 mOhm @ 3A, 10V
Dissipazione di potenza (max):700mW (Ta)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:8-SMD, Flat Lead
Altri nomi:TPCF8107,LFCMCT
TPCF8107,LFCMCT-ND
TPCF8107LFCMCT
TPCF8107LFCMCT-ND
TPCF8107LFCT
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:970pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:P-Channel 30V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6A (Ta)
Email:[email protected]

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