TK9A90E,S4X
TK9A90E,S4X
Modèle de produit:
TK9A90E,S4X
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
La description:
MOSFET N-CH 900V TO220SIS
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
37815 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
TK9A90E,S4X.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 900µA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220SIS
Séries:π-MOSVIII
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.3 Ohm @ 4.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):50W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3 Full Pack
Autres noms:TK9A90E,S4X(S
TK9A90ES4X
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2000pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:46nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):900V
Description détaillée:N-Channel 900V 9A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:9A (Ta)
Email:[email protected]

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