TK9A90E,S4X
TK9A90E,S4X
Тип продуктов:
TK9A90E,S4X
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:
MOSFET N-CH 900V TO220SIS
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество:
37815 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
TK9A90E,S4X.pdf

Введение

TK9A90E,S4X лучшая цена и быстрая доставка.
BOSER Technology является дистрибьютором TK9A90E,S4X, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительной поставки. Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для TK9A90E,S4X по электронной почте, мы предложим вам лучшую цену согласно вашему плану.
Наш электронный адрес: [email protected]

Спецификация

Состояние New and Original
происхождения Contact us
дистрибьютор Boser Technology
Vgs (й) (Max) @ Id:4V @ 900µA
Vgs (макс.):±30V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:TO-220SIS
Серии:π-MOSVIII
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.3 Ohm @ 4.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):50W (Tc)
упаковка:Tube
Упаковка /:TO-220-3 Full Pack
Другие названия:TK9A90E,S4X(S
TK9A90ES4X
Рабочая Температура:150°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:2000pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:46nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):900V
Подробное описание:N-Channel 900V 9A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:9A (Ta)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Latest Новости