STGW8M120DF3
STGW8M120DF3
Modèle de produit:
STGW8M120DF3
Fabricant:
STMicroelectronics
La description:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
67594 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.STGW8M120DF3.pdf2.STGW8M120DF3.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.3V @ 15V, 8A
Condition de test:600V, 8A, 33 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:20ns/126ns
énergie de commutation:390µJ (on), 370µJ (Off)
Package composant fournisseur:TO-247-3
Séries:M
Temps de recouvrement inverse (trr):103ns
Puissance - Max:167W
Package / Boîte:TO-247-3
Autres noms:497-17619
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):Not Applicable
Délai de livraison standard du fabricant:42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:Trench Field Stop
gate charge:32nC
Description détaillée:IGBT Trench Field Stop 1200V 16A 167W Through Hole TO-247-3
Courant - Collecteur pulsée (Icm):32A
Courant - Collecteur (Ic) (max):16A
Email:[email protected]

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