STGW8M120DF3
STGW8M120DF3
Modelo do Produto:
STGW8M120DF3
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
67594 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.STGW8M120DF3.pdf2.STGW8M120DF3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):1200V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.3V @ 15V, 8A
Condição de teste:600V, 8A, 33 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:20ns/126ns
Alternando Energia:390µJ (on), 370µJ (Off)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247-3
Série:M
Inversa de tempo de recuperação (trr):103ns
Power - Max:167W
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Outros nomes:497-17619
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):Not Applicable
Tempo de entrega padrão do fabricante:42 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:Trench Field Stop
portão de carga:32nC
Descrição detalhada:IGBT Trench Field Stop 1200V 16A 167W Through Hole TO-247-3
Atual - Collector Pulsada (ICM):32A
Atual - Collector (Ic) (Max):16A
Email:[email protected]

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