STD45N10F7
STD45N10F7
Modèle de produit:
STD45N10F7
Fabricant:
STMicroelectronics
La description:
MOSFET N-CH 100V 45A DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
57337 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
STD45N10F7.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:DPAK
Séries:DeepGATE™, STripFET™ VII
Rds On (Max) @ Id, Vgs:18 mOhm @ 22.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):60W (Tc)
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms:497-14532-1
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1640pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):100V
Description détaillée:N-Channel 100V 45A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:45A (Tc)
Numéro de pièce de base:STD45N10
Email:[email protected]

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