| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (สูงสุด): | 20V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | DPAK |
| ชุด: | DeepGATE™, STripFET™ VII |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 18 mOhm @ 22.5A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 60W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Cut Tape (CT) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ชื่ออื่น: | 497-14532-1 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 1640pF @ 50V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 100V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 100V 45A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount DPAK |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 45A (Tc) |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | STD45N10 |
| Email: | [email protected] |
