SSM6N815R,LF
SSM6N815R,LF
Modèle de produit:
SSM6N815R,LF
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
La description:
MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
55243 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
SSM6N815R,LF.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 100µA
Package composant fournisseur:6-TSOP-F
Séries:U-MOSVIII-H
Puissance - Max:1.8W (Ta)
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:6-SMD, Flat Leads
Autres noms:SSM6N815RLFDKR
Température de fonctionnement:150°C
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:290pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:3.1nC @ 4.5V
type de FET:2 N-Channel (Dual)
Fonction FET:Logic Level Gate, 4V Drive
Tension drain-source (Vdss):100V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:2A (Ta)
Email:[email protected]

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