SSM6N815R,LF
SSM6N815R,LF
Artikelnummer:
SSM6N815R,LF
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
55243 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
SSM6N815R,LF.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 100µA
Supplier Device-Gehäuse:6-TSOP-F
Serie:U-MOSVIII-H
Leistung - max:1.8W (Ta)
Verpackung:Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse:6-SMD, Flat Leads
Andere Namen:SSM6N815RLFDKR
Betriebstemperatur:150°C
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:290pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:3.1nC @ 4.5V
Typ FET:2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal:Logic Level Gate, 4V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss):100V
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:2A (Ta)
Email:[email protected]

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