SQJ202EP-T1_GE3
SQJ202EP-T1_GE3
Modèle de produit:
SQJ202EP-T1_GE3
Fabricant:
Electro-Films (EFI) / Vishay
La description:
MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
44850 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
SQJ202EP-T1_GE3.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Package composant fournisseur:PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Séries:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:6.5 mOhm @ 15A, 10V
Puissance - Max:27W, 48W
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:PowerPAK® SO-8 Dual
Autres noms:SQJ202EP-T1_GE3CT
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:975pF @ 6V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 10V
type de FET:2 N-Channel (Dual)
Fonction FET:Standard
Tension drain-source (Vdss):12V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 20A, 60A 27W, 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:20A, 60A
Email:[email protected]

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