| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 6.5 mOhm @ 15A, 10V |
| Potenza - Max: | 27W, 48W |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Altri nomi: | SQJ202EP-T1_GE3CT |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 975pF @ 6V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Tensione drain-source (Vdss): | 12V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 20A, 60A 27W, 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 20A, 60A |
| Email: | [email protected] |
