SIHP050N60E-GE3
SIHP050N60E-GE3
Modèle de produit:
SIHP050N60E-GE3
Fabricant:
Electro-Films (EFI) / Vishay
La description:
MOSFET N-CH 600V
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
69082 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
SIHP050N60E-GE3.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220AB
Séries:E
Rds On (Max) @ Id, Vgs:50 mOhm @ 23A, 10V
Dissipation de puissance (max):278W (Tc)
Package / Boîte:TO-220-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:3459pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:130nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):600V
Description détaillée:N-Channel 600V 51A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:51A (Tc)
Email:[email protected]

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