SIHP050N60E-GE3
SIHP050N60E-GE3
Nomor bagian:
SIHP050N60E-GE3
Pabrikan:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Deskripsi:
MOSFET N-CH 600V
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Kuantitas:
69082 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lembaran data:
SIHP050N60E-GE3.pdf

pengantar

SIHP050N60E-GE3 harga terbaik dan pengiriman cepat.
BOSER Technology adalah distributor untuk SIHP050N60E-GE3, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan lama. Silakan kirim rencana pembelian Anda untuk SIHP050N60E-GE3 melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New and Original
Asal Contact us
Distributor Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Paket Perangkat pemasok:TO-220AB
Seri:E
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs:50 mOhm @ 23A, 10V
Power Disipasi (Max):278W (Tc)
Paket / Case:TO-220-3
Suhu Operasional:-55°C ~ 150°C (TJ)
mount Jenis:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS:3459pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:130nC @ 10V
FET Jenis:N-Channel
Fitur FET:-
Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif):10V
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss):600V
Detil Deskripsi:N-Channel 600V 51A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:51A (Tc)
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar