SI5504DC-T1-E3
SI5504DC-T1-E3
Modèle de produit:
SI5504DC-T1-E3
Fabricant:
Electro-Films (EFI) / Vishay
La description:
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
70387 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
SI5504DC-T1-E3.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA (Min)
Package composant fournisseur:1206-8 ChipFET™
Séries:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:85 mOhm @ 2.9A, 10V
Puissance - Max:1.1W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-SMD, Flat Lead
Autres noms:SI5504DC-T1-E3TR
SI5504DCT1E3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:-
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:7.5nC @ 10V
type de FET:N and P-Channel
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.9A, 2.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:2.9A, 2.1A
Numéro de pièce de base:SI5504
Email:[email protected]

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