| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | PowerPAK® ChipFet Single |
| Séries: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 16 mOhm @ 7.6A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max): | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | PowerPAK® ChipFET™ Single |
| Autres noms: | SI5484DU-T1-E3TR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1600pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 55nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 2.5V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss): | 20V |
| Description détaillée: | N-Channel 20V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Single |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
