RJK1053DPB-00#J5
RJK1053DPB-00#J5
Modèle de produit:
RJK1053DPB-00#J5
Fabricant:
Renesas Electronics America
La description:
MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
39464 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
RJK1053DPB-00#J5.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:LFPAK
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:13 mOhm @ 12.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):65W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SC-100, SOT-669
Autres noms:RJK1053DPB-00#J5-ND
RJK1053DPB-00#J5TR
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:6160pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:43nC @ 4.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):100V
Description détaillée:N-Channel 100V 25A (Ta) 65W (Tc) Surface Mount LFPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:25A (Ta)
Email:[email protected]

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