RJK1053DPB-00#J5
RJK1053DPB-00#J5
Modello di prodotti:
RJK1053DPB-00#J5
fabbricante:
Renesas Electronics America
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
39464 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
RJK1053DPB-00#J5.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:-
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:LFPAK
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:13 mOhm @ 12.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):65W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SC-100, SOT-669
Altri nomi:RJK1053DPB-00#J5-ND
RJK1053DPB-00#J5TR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6160pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:43nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione dettagliata:N-Channel 100V 25A (Ta) 65W (Tc) Surface Mount LFPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:25A (Ta)
Email:[email protected]

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