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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > RFP4N100
RFP4N100
Modèle de produit:
RFP4N100
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 1KV 4.3A TO-220AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité:
60141 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
RFP4N100.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220AB
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3.5 Ohm @ 2.5A, 10V
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:120nC @ 20V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension drain-source (Vdss):1000V
Description détaillée:N-Channel 1000V 4.3A (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:4.3A (Tc)
Email:[email protected]

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