RFP4N100
Artikelnummer:
RFP4N100
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1KV 4.3A TO-220AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Enthält Blei / RoHS nicht konform
Anzahl:
60141 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
RFP4N100.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220AB
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3.5 Ohm @ 2.5A, 10V
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Contains lead / RoHS non-compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:120nC @ 20V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Drain-Source-Spannung (Vdss):1000V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 1000V 4.3A (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:4.3A (Tc)
Email:[email protected]

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