RCJ120N25TL
RCJ120N25TL
Modèle de produit:
RCJ120N25TL
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 250V 12A LPT
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
44526 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.RCJ120N25TL.pdf2.RCJ120N25TL.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:LPTS (SC-83)
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:235 mOhm @ 6A, 10V
Dissipation de puissance (max):1.56W (Ta), 40W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms:RCJ120N25TLTR
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:17 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1800pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):250V
Description détaillée:N-Channel 250V 12A (Tc) 1.56W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount LPTS (SC-83)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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