RCJ120N25TL
RCJ120N25TL
Modello di prodotti:
RCJ120N25TL
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 250V 12A LPT
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
44526 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.RCJ120N25TL.pdf2.RCJ120N25TL.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:LPTS (SC-83)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:235 mOhm @ 6A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.56W (Ta), 40W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:RCJ120N25TLTR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:17 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1800pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):250V
Descrizione dettagliata:N-Channel 250V 12A (Tc) 1.56W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount LPTS (SC-83)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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