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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > R1LV0216BSB-5SI#B0
R1LV0216BSB-5SI#B0
R1LV0216BSB-5SI#B0
Modèle de produit:
R1LV0216BSB-5SI#B0
Fabricant:
Renesas Electronics America
La description:
IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
40995 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
R1LV0216BSB-5SI#B0.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:55ns
Tension - Alimentation:2.7 V ~ 3.6 V
La technologie:SRAM
Package composant fournisseur:44-TSOP II
Séries:-
Emballage:Tray
Package / Boîte:44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Volatile
Taille mémoire:2Mb (128K x 16)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:SRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:SRAM Memory IC 2Mb (128K x 16) Parallel 55ns 44-TSOP II
Numéro de pièce de base:R1LV0216B
Temps d'accès:55ns
Email:[email protected]

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image Modèle de produit Fabricant La description Vue
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