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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > R1LV0108ESN-5SR#S0
R1LV0108ESN-5SR#S0
Modèle de produit:
R1LV0108ESN-5SR#S0
Fabricant:
Renesas Electronics America
La description:
IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
63174 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
R1LV0108ESN-5SR#S0.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:55ns
Tension - Alimentation:2.7 V ~ 3.6 V
La technologie:SRAM
Package composant fournisseur:32-SOP
Séries:-
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)
Température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Type de mémoire:Volatile
Taille mémoire:1Mb (128K x 8)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:SRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:SRAM Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 55ns 32-SOP
Temps d'accès:55ns
Email:[email protected]

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image Modèle de produit Fabricant La description Vue
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