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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > R1LV0108ESN-5SI#B0
R1LV0108ESN-5SI#B0
Modèle de produit:
R1LV0108ESN-5SI#B0
Fabricant:
Renesas Electronics America
La description:
IC SRAM 1MBIT 55NS 32SOP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
59747 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
R1LV0108ESN-5SI#B0.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Ventilation:32-SOP
Normes:Volatile
Logiciel:1Mb (128K x 8)
style de la coque:2.7 V ~ 3.6 V
Séries:-
État RoHS:Tube
Temps de recouvrement inverse (trr):55ns
Polarisation:32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)
Isolation de sortie:SRAM
Température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Référence fabricant:R1LV0108ESN-5SI#B0
Interface:Parallel
La description:IC SRAM 1MBIT 55NS 32SOP
Email:[email protected]

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image Modèle de produit Fabricant La description Vue
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