R1LV0108ESF-5SI#B0 - Renesas Electronics America Mémoire

R1LV0108ESF-5SI#B0

Modèle de produit:: R1LV0108ESF-5SI#B0

Fabricant:: Renesas Electronics America

La description:: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP

[LeadFreeStatus]未找到翻译: Sans plomb / conforme à la directive RoHS

Quantité:: 59548 Pieces

Heure de livraison:: 1-2 days

Fiche technique:: R1LV0108ESF-5SI#B0.pdf

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Spécifications

État	New and Original
Origine	Contact us
Distributeur	Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:	55ns
Tension - Alimentation:	2.7 V ~ 3.6 V
La technologie:	SRAM
Package composant fournisseur:	32-TSOP (8x20)
Séries:	-
Emballage:	Tray
Package / Boîte:	32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):	1 (Unlimited)
Type de mémoire:	Volatile
Taille mémoire:	1Mb (128K x 8)
Interface mémoire:	Parallel
Format de mémoire:	SRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:	SRAM Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 55ns 32-TSOP (8x20)
Numéro de pièce de base:	R1LV0108E
Temps d'accès:	55ns
Email:	[email protected]

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